VND5N07TR-E Նոր և օրիգինալ MOSFET Power Switch/Driver 1:1 N-Channel 3.5A DPAK

Կարճ նկարագրություն:

Արտադրամաս՝ VND5N07TR-E
Արտադրող՝ STMicroelectronics
Փաթեթ՝ DPAK/TO252
Նկարագրություն՝ MOSFET
Տվյալների աղյուսակ. խնդրում ենք կապվել մեզ հետ:

Նամակ ուղարկեք մեզ

Ապրանքի մանրամասն

Ապրանքի պիտակներ

Ապրանքի պարամետր

Նկարագրություն

VND5N07-E-ն նախագծված մոնոլիտ սարք է
օգտագործելով STMicroelectronics® VIPower® M0
տեխնոլոգիա, որը նախատեսված է ստանդարտին փոխարինելու համար
Էլեկտրական MOSFET-ներ DC-ից մինչև 50 KHz
հավելվածներ։Ներկառուցված ջերմային անջատում, գծային
հոսանքի սահմանափակումը և գերլարման սեղմիչը պաշտպանում են
չիպը կոշտ միջավայրում:
Սխալների հետադարձ կապը կարող է հայտնաբերվել մոնիտորինգի միջոցով
լարումը մուտքային փինում:

Տեխնիկական պայմաններ
Հատկանիշ	Արժեք
Կարգավիճակ	Ինտեգրված սխեմաներ (IC)
	PMIC - Էլեկտրաէներգիայի բաշխման անջատիչներ, բեռնման վարորդներ
	STMicroelectronics
	OMNIFET II VIPower
	Կասետային և կոճ (TR)
	Կտրված ժապավեն (CT)
	Digi-Reel
Մասի կարգավիճակը	Ակտիվ
Անջատիչի տեսակը	Հիմնական նպատակ, գլխավոր նպատակ
Արդյունքների քանակը	1
Հարաբերակցություն - Մուտք:Ելք	1:01
Արդյունքների կոնֆիգուրացիա	Հանգիստ կողմ
Ելքի տեսակը	N-Channel
Ինտերֆեյս	Միացում անջատում
Լարման – Բեռ	55 Վ (առավելագույն)
Լարման - Մատակարարում (Vcc/Vdd)	Պարտադիր չէ
Ընթացիկ - ելքային (առավելագույն)	3.5 Ա
Rds Միացված է (Typ)	200 մՕմ (առավելագույն)
Մուտքի տեսակը	Ոչ շրջվող
Հատկություններ	-
Սխալների պաշտպանություն	Ընթացքի սահմանափակում (ֆիքսված), ջերմաստիճանի բարձրացում, լարման ավելացում
Գործող ջերմաստիճանը	-40°C ~ 150°C (TJ)
Մոնտաժման տեսակը	Մակերեւութային լեռ
Մատակարարի սարքի փաթեթ	DPAK
Փաթեթ / պատյան	TO-252-3, DPak (2 տանող + ներդիր), SC-63